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科學家證實非侵入性磁刺激可消除負面記憶
科學背後是嚴謹的假設求證﹐需要經年累月嘗試實驗﹐藝術卻有無限的想像空間。
「消除負面記憶」是人們一直希望達成卻又害怕的事﹐不少科幻作品多有想像描述﹔而在現實生活﹐利用基因編輯﹑注射藥劑等方式消除令人痛苦的回憶﹐也開始成為眾多研究人員的著手點。義大利博洛尼亞大學的研究人員提出假設﹕以非侵入性方式﹐以磁刺激大腦特定部位﹐消除負面記憶。
要刺激大腦消除記憶﹐首先要找對位置﹕「背外側前額葉皮質」。大腦有一塊名為前額葉皮質的區域﹐和認知﹑情緒﹑疼痛和行為管理等有關。顧名思義﹐前額葉皮質就是前額頭後面那部分大腦皮質﹐靈長類生物進化時變化最大的也是這部位。
這部位有多智慧﹖如果有人提起你去過的風景名勝﹐大腦各部位會擷取相關資訊﹐如地理位置﹑建築風格﹑色彩等﹐所有零散資訊只要經過前額葉皮質就可整合﹐所有記憶中關於此名勝的資訊就會彙整輸出。如下圖所示﹐前額葉皮質包括背外側前額葉皮質(Dorsolateral Prefrontal Cortex﹐dlPFC)和眶額皮質(Orbitofrontal Cortex)﹐博洛尼亞大學團隊選擇的是能控制記憶檢索﹑啟動記憶﹑重組記憶的 dlPFC。
找到目標位置後﹐就該考慮如何刺激大腦了。
要把短期記憶變成長期記憶﹐大腦要努力運作﹐避免這段記憶因刺激或傷病受干擾﹐這過程就叫「固化」(consolidation)。舉一反三﹐想消除一段記憶﹐就是倒轉固化程序﹐將記憶狀態由穩定變成不穩定。科學家稱此反轉過程為「反固化」(reconsolidation)。博洛尼亞大學團隊決定透過重覆經顱磁刺激(rTMS)反固化﹐這種方式無痛無創﹐可改變dlPFC部位神經活動的磁場。
消除記憶的原理很明確了﹐實際又是如何操作﹖
研究人員選擇84位身體狀況良好(指沒有類似實驗將產生的恐懼記憶等任何記憶)參與者進行實驗。參與者接受負面刺激形成恐懼記憶﹐研究人員於24小時後透過幫助啟動參與者的恐懼記憶並觀察反應﹐再對參與者反固化10分鐘。之後研究人員測量參與者的膚電反應(GSR)。
膚電反應是心理學的情緒生理指標﹐代表有機體受刺激時皮膚電流的變化。這項實驗﹐皮膚電流的變化反映反固化的效果好壞。膚電反應結果顯示﹐反固化24小時後﹐參與者對恐懼記憶的生理反應明顯減少。
前額葉皮質一定程度不對稱﹐所以研究人員實驗也分別偵測參與者左右兩側的dlPFC變化﹐並發現反固化24小時後左右兩側dlPFC對恐懼記憶的生理反應減少程度接近﹐就是說不論哪側﹐反固化都有發揮效用。
不過﹐研究團隊也發現下列情況的參與者﹐對恐懼記憶的生理反應並未有任何變化﹕
剛做完反固化就測量參與者膚電反應。
反固化沒有恐懼記憶的參與者。
更重要的是﹐經過反固化﹐參與者的恐怖記憶也消失了。
綜合上述結果﹐反固化對dlPFC的影響將隨時間推移變化﹔記憶反固化過程﹐以無創方式刺激大腦消除記憶這條路可行。
這些發現為理解恐懼記憶重新整合機制提供新方向﹔同時﹐對標靶情緒﹑適應不良記憶也有潛在臨床意義。這些發現將對恐懼症﹑創傷後應激障礙﹑強迫症等疾病的治療提供新想法。要解釋的是﹐強迫症之一的記憶強迫症﹐成因為心理防禦意識過強﹐強迫記憶會帶來心理與行為障礙﹐患者整天情緒充滿惶恐焦慮。有研究表明﹐記憶強迫症患者時常將大腦空間留給各種回憶﹐因此出現記憶問題。
不過各地研究團隊已研發出不少消除負面記憶的技術﹐如﹕
大腦特定區域注射異丙酚(全身麻醉劑)﹐給藥 24 小時後負面記憶破壞。
利用光遺傳學技術刺激海馬迴特定區域﹐可消除負面記憶。
開發受光遺傳學啟發的類腦晶片﹐透過模仿大腦儲存和移除資訊的方式消除消極記憶。
基於基因編輯達成特定記憶精確移除。
可見﹐消除負面記憶已不僅停在藝術家的想像裡﹐而用尖端技術做到科幻作品情結﹐未來很有可能實現。
...<div class='locked'><em>瀏覽完整內容，請先 <a href='member.php?mod=register'>註冊</a> 或 <a href='javascript:;' onclick="lsSubmit()">登入會員</a></em></div><div></div> 什麼時候可以普及化，恐懼症﹑創傷後應激障礙﹑強迫症這些疾病可以有治療的方法了，那世界一年可以少掉很多自殺的人，功德無量。
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