頁:
[1]
意法大幅提升GaN充電效率
為提升電源充電效率及消費性電子﹑工業充電器﹐以及電源轉接器的開發速度﹐意法半導體(ST)宣布首款嵌入矽基半橋驅動晶片和一對氮化鎵(GaN)電晶體的MasterGaN平台。MasterGaN特點在於﹐是首個封裝整合矽基驅動晶片和GaN功率電晶體的解決方案﹐相較矽充電器和轉接器﹐其尺寸縮小80%﹐重量減輕70%﹐且充電速度提升3倍。
GaN技術使電力裝置能夠處理更大功率﹐同時裝置本身將變得更小﹑更輕﹐而且更節能。這些改良將會改變智慧型手機超快充電器和無線充電器﹑PC和遊戲機的USB-PD高功率配置轉接器﹑太陽能儲電系統﹑不斷電供應系統或高階OLED電視機﹐還有雲端伺服器等工業應用。
不過﹐在目前的GaN市場上﹐功率電晶體和驅動IC通常是離散元件﹐這使設計人員必須學習兩者間的協同作業﹐以達到最佳性能。為此﹐ST將GaN電晶體和驅動IC整合成同一元件(MasterGaN)﹐不僅縮短產品上市時間﹐同時還使封裝變得更小﹑更簡單﹑電路元件更少﹐而且系統變得可靠性更高。透過GaN技術和整合式產品的優勢﹐採用新產品的充電器和轉接器將相較普通矽基解決方案尺寸縮減80%﹐重量亦降低了70%。
據悉﹐MasterGaN整合兩個半橋配置的GaN功率電晶體和半橋驅動晶片﹐9mm x 9mm GQFN薄型封裝確保高功率密度﹐滿足高壓應用。另外﹐該產品系列有多種不同的GaN電晶體尺寸﹐並以腳位相容的半橋產品形式供貨﹐方便工程師升級現有系統﹐並盡可能降低更改硬體的程序。
同時﹐在高階的高效能拓撲結構中﹐例如﹐帶有源鉗位的反激或正激式變換器﹑諧振無橋圖騰柱功率因數校正器(PFC)﹐以及在AC/DC和DC/DC變換器﹐以及DC/AC逆變器中使用的其它軟開關和硬開關拓撲﹐低導通損耗和無體二極體恢復兩大特性﹐使GaN電晶體可以提供卓越的效能和更高的整體性能。
意法半導體執行副總裁﹑類比產品分部總經理Matteo Lo Presti表示﹐MasterGaN產品平台透過ST經過市場檢驗的專業知識和設計能力﹐再整合高壓智慧功率BCD製程與GaN技術而成﹐能夠加速開發兼具節省空間﹑高效能的產品。
...<div class='locked'><em>瀏覽完整內容，請先 <a href='member.php?mod=register'>註冊</a> 或 <a href='javascript:;' onclick="lsSubmit()">登入會員</a></em></div><div></div> 這看起來就是 "SiP"的產品~看文章最少有三顆晶片(矽基半橋驅動晶片和一對氮化鎵(GaN)電晶體的MasterGaN平台) 不過主要的難度可以是設計吧，這種SiP封裝技術還滿成熟的
頁:
[1]